مینوفیکچرر پروڈکٹ نمبر:
BSD214SN L6327
Product Overview
کارخانہ دار:
Infineon Technologies
DiGi Electronics پارٹ نمبر:
BSD214SN L6327-DG
تفصیل:
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT363-6
تفصیلی وضاحت:
N-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
اِنویٹری:
12829220
اقتباس کی درخواست کریں
مقدار
کم از کم 1
کم از کم 1
(*) یہ لازمی ہے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
ہم آپ سے 24 گھنٹوں کے اندر رابطہ کریں گے
جمع کرو
BSD214SN L6327 تکنیکی وضاحتیں
زمرہ
ایف ای ٹی (FETs)، مو سفیٹ (MOSFETs), سنگل فیٹ، MOSFETs
کارخانہ دار
Infineon Technologies
پیکنگ
-
سلسلہ
OptiMOS™
مصنوعات کی حیثیت
Obsolete
ایف ای ٹی قسم
N-Channel
ٹیکنالوجی
MOSFET (Metal Oxide)
سورس وولٹیج (وی ڈی ایس ایس) پر ڈرین کریں
20 V
کرنٹ - مسلسل نکاسی (ID) @ 25°C
1.5A (Ta)
ڈرائیو وولٹیج (زیادہ سے زیادہ آر ڈی ایس آن، مین آر ڈی ایس آن)
2.5V, 4.5V
آر ڈی ایس آن (میکس) @ آئی ڈی، وی جی ایس
140mOhm @ 1.5A, 4.5V
وی جی ایس (تھ) (میکس) @ آئی ڈی
1.2V @ 3.7µA
گیٹ چارج (کیو جی) (میکس) @ وی جی ایس
0.8 nC @ 5 V
Vgs (Max)
±12V
ان پٹ کیپیسٹینس (سی آئی ایس ایس) (میکس) @ وی ڈی ایس
143 pF @ 10 V
FET Feature
-
بجلی کا ضیاع (زیادہ سے زیادہ)
500mW (Ta)
آپریٹنگ درجہ حرارت
-55°C ~ 150°C (TJ)
بڑھتی ہوئی قسم
Surface Mount
سپلائر ڈیوائس پیکیج
PG-SOT363-PO
پیکج / کیس
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
ڈیٹا شیٹ اور دستاویزات
اضافی معلومات
دیگر نام
BSD214SN L6327INDKR-DG
BSD214SNL6327INDKR
BSD214SN L6327-DG
BSD214SNL6327
BSD214SNL6327HTSA1
BSD214SNL6327INCT
BSD214SN L6327INTR-DG
BSD214SN L6327INDKR
SP000440882
BSD214SN L6327INCT-DG
BSD214SN L6327INTR
BSD214SN L6327INCT
BSD214SNL6327INTR
معیاری پیکیج
3,000
ماحولیاتی اور برآمد کی درجہ بندی
نمی کی حساسیت کی سطح (ایم ایس ایل)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
متبادل ماڈل
پارٹ نمبر
BSD214SNH6327XTSA1
مینوفیکچرر
Infineon Technologies
دستیاب مقدار
5980
پارٹ نمبر
BSD214SNH6327XTSA1-DG
یونٹ قیمت
0.07
متبادل قسم
Parametric Equivalent
ڈیجی سرٹیفیکیشن
متعلقہ مصنوعات
BUK9Y12-80E,115
MOSFET N-CH 80V LFPAK56 PWR-SO8
BUK9215-55A,118
MOSFET N-CH 55V 55A DPAK
BUK9J0R9-40HX
BUK9J0R9-40H/SOT1023/4 LEADS
